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在之前的研究中，代表人们提出了多种可能的物理解释，代表如电子空穴补偿、高迁移率、复杂的自旋结构等，然而到目前为止，WTe2中产生巨磁阻的根本原因仍然存在争议。近日，团举缪峰教授课题组利用原位栅压调控方法，团举证明了WTe2中的电子空穴补偿是不饱和磁电阻产生的根本原因，同时在薄膜WTe2中实现了高达10600%的巨大磁电阻（比以往研究报道中类似厚度薄膜的磁电阻高出1-2个量级）。

南京大学物理学院博士王瑶佳、行小习习博士生王利铮为该工作共同第一作者，缪峰教授和梁世军副研究员为该工作的共同通讯作者。组会总书磁电阻以及电子空穴浓度比随栅压的变化。为了避免薄膜的氧化，议学要讲议全缪峰课题组利用干法转移技术制作了h-BN保护的高质量WTe2薄膜器件(如图a所示，议学要讲议全薄膜厚度约10 nm)，同时利用h-BN作为栅介质原位调控WTe2中的载流子浓度。

【前言】三十年前，近平记重磁性多层结构中巨磁阻效应的发现直接导致了固态存储硬盘的小型化革命。但是，话精在2014年，有实验发现非磁性块体材料二锑化钨（WTe2）在低温下电阻随磁场的增加出现不饱和增长现象，磁电阻在60 T时达到

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